DIMM DDR3 8GB 1600MHz CL11 512x8 ADATA, retail

 
 
 
 

 

DIMM DDR3 8GB 1600MHz CL11 512x8 ADATA, retail

 Nedostupný 

 


 
 
 

 

 

Výrobce

ADATA 

Kód26019565
Part No.AD3U1600W8G11-R
Dostupnost
Dostupnost na pobočkách
 
Vaše cena bez DPH 1 569   
Recyklační poplatek 1.50; DPH: 21% (Komponenty a příslušenství nezaložené na mechanick)   
Vaše cena s RP* 1 571   
DPH 21%
Vaše cena s DPH 1 900   
Garance cenyNalezli jste jinde na internetu nižší cenu? Informujte nás!
Záruka spotřebitel24 Doživotně
Záruka ostatní1 Doživotně
Objednat
Hodnocení produktu
 
Hodnoceno 0x        



 
 
 



 
 
 

 

 

This is a 1024Mx64 bits 8GB(8192MB) DDR3-1600(CL11)-11-11-28 SDRAM memory module, The SPD is programmed to JEDEC standard latency 1600Mbps timing of 11-11-11-28 at 1.5V. The module is composed of six-teen 512Mx8 bits CMOS DDR3 SDRAMs in FBGA package...

 
 
 

  •  
 

Podrobnosti


 

Popis produktu:

This is a 1024Mx64 bits 8GB(8192MB) DDR3-1600(CL11)-11-11-28 SDRAM memory module, The SPD is programmed to JEDEC standard latency 1600Mbps timing of 11-11-11-28 at 1.5V. The module is composed of six-teen 512Mx8 bits CMOS DDR3 SDRAMs in FBGA package and one 2Kbit EEPROM in 8pin TDFN package on a 240pin glass–epoxy printed circuit board. The module is a Dual In-line Memory Module and intended for mounting onto 240-pins edge connector sockets. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. Data I/O transactions are possible on both edges of DQS. Range of operating frequencies, programmable latencies and burst lengths allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications. Features: - Power supply (Normal): VDD & VDDQ = 1.5V ± 0.075V - 1.5V (SSTL_15 compatible) I/O - MRS Cycle with address key programs - CAS Latency (5,6,7,8,9,10,11) - Burst Length (BL):8 and 4 with Burst Chop(BC) - Bi-directional, differential data strobe (DQS and /DQS) - Differential clock input (CK, /CK) operation - DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition - Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle - 8 independent internal bank - Internal (self) calibration: Internal self calibration through ZQ pin (RZQ:240 ohm±1%) - Auto refresh and self refresh - Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE 95°C - 8-bit pre-fetch. - On Die Termination using ODT pin. - Lead-free and Halogen-free products are RoHS Compliant


 

Obchodníci


 



 
 
 



 
 
 

 

Zařazení


 

 
 
 

 

Diskuse (0)


 

 
Diskuse neobsahuje žádné příspěvky
Vstup do diskuse - počet příspěvků:   Vstup do diskuse - počet příspěvků: 0   Odebírat diskusi e-mailem Odebírat diskusi e-mailem


 
 
 

 

Poslat info


 

 

Dotaz k tomuto produktu

 
 
 
Váš e-mail:*
Dotaz:*
Opište kód z obrázku:*  Jiný obrázek...
 
 * povinné údaje


 
 
 

 

Nalezli jste na našich stránkách chybu?

 
 
 
Váš e-mail:*
Popis:*
Opište kód z obrázku:*  Jiný obrázek...
 
 * povinné údaje
 
 
 
 
 
 
 

Zaslat informaci o produktu známému

 
 
 
Váš e-mail:*
Zaslat na e-mail:*
Komentář:*
Opište kód z obrázku:*  Jiný obrázek...
 
 * povinné údaje


 
 
 


 
 
 


 
 

 

 

porovnat - 0 ks

 

 

 

 

  Kód Název produktu Vaše cena    

 
 
 


 
 
 

 

Naposledy navštívené

 


 

 

 
    Kód Název produktu Vaše cena  

 
 
 


 
 
 

 

 

 
 
 
 
 





Nákupní košík
0 položek
celkem: 0
Nákupní košík
Košík
0 položek
0

 

 

 



 
 
 


 

Kontaktujte nás
*Email: *Zpráva:
Ochrana proti robotům: + =
AntiSpam: 2 plus 3 =
© 2024 COMPOS DISTRIBUTION Technické řešení © 2024 CyberSoft s.r.o.
Zavřít
Přihlašovací údaje
Uživatelské jméno Heslo
Registrace
Proč se registrovat?
Zapomenuté heslo

Info o cookiesK provozování našeho webu eshop.compos.cz využíváme takzvané cookies. Cookies jsou soubory sloužící k přizpůsobení obsahu webu, k měření jeho funkčnosti a obecně k zajištění vaší maximální spokojenosti. Používáním tohoto webu souhlasíte se způsobem, jakým s cookies nakládáme.