GOODRAM SSD IRDM Gen.3 512GB SATA III, M.2

IRDM M.2 SSD
SSD M2 2280 nabízí několikanásobně vyšší výkon ve srovnání se SATA III.
To znamená 6x rychlejší načítání a rychlejší proces psaní během hraní vašich oblíbených her.

   Dostupné kapacity: 256 GB 512 GB 1024 GB 2048 GB
   Rozhraní PCIe 3x4
   NVMe 1.3
   8kanálový řadič Phison E12 s vyrovnávací pamětí DRAM
   5letá záruka s bezplatnou technickou podporou* omezeno TBW


TECHNICKÁ SPECIFIKACE
Dostupná kapacita: 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB
Rozhraní: M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (klíč M)
Provedení: M.2 2280
NAND Flash: 3D TLC
Řadič: Phison E12 s vyrovnávací pamětí dram
MTBF: 1 800 000 hodin
Provozní teplota: 0-70 ° C
Skladovací teplota: -45 - 85 ° C
Záruka : 5letá záruka omezená technickou podporou TBW *
* omezeno TBW (Total Bytes Written) - po dosažení parametru TBW nebo po 5 letech již na výrobek záruka není poskytována.



                                                                                 256GB                   512GB                1TB                2TB
Incompressible data read speed (max.)1 3 000 MB/s 3 200 MB/s 3 200 MB/s 3 200 MB/s
Incompressible data write speed (max.)1 1 000 MB/s 2 000 MB/s 3 000 MB/s 3 000 MB/s
Random read operations per second (4K files) (max.)2 149 000 IOPS 295 000 IOPS 250 000 IOPS 490 000 IOPS
Random write operations per second (4K files) (max.)2 250 000 IOPS 500 000 IOPS 500 000 IOPS 500 000 IOPS
                                                                                               TBW3                150                300                600            1200

 

OBSAH BALENÍ

   SSD disk GOODRAM